碳化硅设备工艺

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日  近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区

2022年12月1日  碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。

顺应降本增效趋势，半导体碳化硅 (SiC) 衬底4种切割技术详解

3 天之前  KABRA工艺本质是上将激光聚焦在碳化硅材料的内部，通过“无定形黑色重复吸收”，将碳化硅分解成无定形硅和无定形碳，并形成作为晶圆分离基点的一层，即黑色无定形层，吸收更多的光，从而能够很容易地分离晶圆。

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做？

2020年10月21日  碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状

化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 电子工程专辑 EE

2023年2月15日  摘要 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求 越来越大。 与硅半导体产业不同

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。

一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE

2024年5月31日  我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构，它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部

化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

2022年8月11日  本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展, 介绍了化学气相沉积(CVD) 法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展, 最后分析了CVD 法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。

浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号

2024年4月18日  碳化硅（SiC）因卓越性能成为电力电子器件的理想材料。 其生产工艺涉及原料准备、热处理、晶体生长、切片打磨、器件制造、检测与封装等步骤。 SiC的应用前景广阔，为电力电子技术发展开辟新道路。

行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国

2023年2月26日  需求,纳米银烧结设备成为碳化硅封装固化工艺的最核心设备,截至 022 年未实现国产化。根据我们测算,预计2025年国内纳米银烧结设备市场规模为30 亿元。 受益标的:(1)宇环数控:国内稀

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2023年4月26日  近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将

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2022年12月1日  碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。

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2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。

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2022年8月11日  本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展, 介绍了化学气相沉积(CVD) 法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展, 最后分析了CVD 法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。

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2023年2月15日  摘要 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求 越来越大。 与硅半导体产业不同

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2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。

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